Материал пленки должен иметь такое удельное сопротивление, которое обеспечивает разрядку конденсатора С2 через внутреннее сопротивление утечки пленки. Мишень может быть представлена в виде большого числа элементарных конденсаторов С, С2, С3 и т. д., шунтируемых резисторами с переменными сопротивлениями Ri, Р,2, Rz и т. д. Левой обкладкой конденсаторов является прозрачная пленка металла.

В зависимости от светового потока, падающего на соответствующий элемент фотослоя, внутреннее сопротивление утечки каждого конденсатора изменяется, следовательно, конденсаторы за время одного кадра окажутся разряженными по-разному.

На мишени образуется потенциальный рельеф. Для считывания рельефа необходимо вы- равнять лучом in потенциал правых обкладок конденсаторов, зарядный ток которых, проходя через RH, образует исходный сигнал яркости.